ON Semiconductor NSS1C200MZ4T3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

NSS1C200

引脚数量

4

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

120MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

220mV @ 200mA, 2A

转换频率

120MHz

集电极基极电压(VCBO)

140V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅