ON Semiconductor NSCT2222ALT1G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3 (TO-236)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

225mW

功率 - 最大

225mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅