ON Semiconductor NSM80101MT1G
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NSM80101MT1G
1807-NSM80101MT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-74, SOT-457
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TRANS NPN 80V 0.5A SC74-6
--最小包装量--
NSM80101MT1G详情
ON Semiconductor NSM80101MT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
400mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
极性
NPN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
功率 - 最大
400mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
NPN + Diode (Isolated)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 10mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 10mA, 100mA
转换频率
150MHz
频率转换
150MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSM80101MT1G拓展信息
ON Semiconductor
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