ON Semiconductor NSS12100XV6T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Number of Elements

1

hFEMin

150

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

500mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

基本部件号

NSS12100

引脚数量

6

元素配置

Single

功率耗散

650mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

440mV @ 100mA, 1A

最高频率

1MHz

转换频率

100MHz

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

12V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅