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价格梯度

内地含税价

1

￥5.336825
10

￥5.034742
100

￥4.749758
500

￥4.480902
1000

￥4.227263

ON Semiconductor NSS20500UW3TBG

Name: NSS20500UW3TBG
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSS20500UW3TBG
Price: 5.34 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSS20500UW3TBG

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSS20500UW3TBG

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

3-WDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 20V 5A 3-Pin WDFN T/R

起订量

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NSS20500UW3TBG ON Semiconductor Trans GP BJT PNP 20V 5A 3-Pin WDFN T/R

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NSS20500UW3TBG详情

技术参数

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ON Semiconductor NSS20500UW3TBG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

14 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

3-WDFN Exposed Pad
表面安装

YES
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2012
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

875mW
引脚数量

3
配置

Single
功率 - 最大

875mW
无卤素

无卤素
极性/通道类型

PNP
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

260mV
最大集电极电流

5A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2A 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

260mV @ 400mA, 4A
转换频率

100MHz
频率转换

100MHz
集电极基极电压(VCBO)

20V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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