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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.603707
10
¥5.286516
100
¥4.987276
500
¥4.704979
1000
¥4.43866
ON Semiconductor NSS20501UW3TBG
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- 对比
NSS20501UW3TBG
1807-NSS20501UW3TBG
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-WDFN Exposed Pad
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Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin WDFN T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSS20501UW3TBG详情
ON Semiconductor NSS20501UW3TBG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-WDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Current-Collector (Ic) (Max)
5A
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
875mW
频率
150MHz
引脚数量
3
配置
Single
功率耗散
1.5W
无卤素
无卤素
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
20V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
125mV @ 400mA, 4A
转换频率
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSS20501UW3TBG拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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