ON Semiconductor NSS30201MR6T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

60mV

Number of Elements

1

hFEMin

300

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

535mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

2A

频率

300MHz

基本部件号

NSS30201

引脚数量

6

元素配置

Single

功率耗散

1.18W

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

75mV @ 1mA, 100mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1mm

长度

3.1mm

宽度

1.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅