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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.022523
10
¥5.681629
100
¥5.360027
500
¥5.056625
1000
¥4.770403
ON Semiconductor NSS40300MZ4T1G
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- 对比
NSS40300MZ4T1G
1807-NSS40300MZ4T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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NSS40300 Series 40 V 3 A 2 W SMT PNP Bipolar Power Transistor - SOT-223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSS40300MZ4T1G详情
ON Semiconductor NSS40300MZ4T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
2W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
频率
160MHz
基本部件号
NSS40300
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
2W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
增益带宽积
160MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
175 @ 1A 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 300mA, 3A
转换频率
160MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSS40300MZ4T1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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