ON Semiconductor NSS60600MZ4T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-350mV

Number of Elements

1

hFEMin

150

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

100MHz

基本部件号

NSS60600

引脚数量

4

元素配置

Single

功率耗散

2W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800mW

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 600mA, 6A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

关断时间-最大值（toff)

685ns

接通时间-最大值(ton)

280ns

高度

1.65mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅