ON Semiconductor NST65011MW6T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

380mW

极性

NPN

功率 - 最大

380mW

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

600mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

最大击穿电压

65V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅