ON Semiconductor NSV1C201MZ4T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

质量

250.212891mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

180mV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

800mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

100MHz

引脚数量

4

元素配置

Single

功率耗散

2W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

180mV @ 200mA, 2A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

140V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

连续集电极电流

2A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅