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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.455763
10
¥1.373361
100
¥1.295623
500
¥1.222287
1000
¥1.1531
ON Semiconductor NSV40200LT1G
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- 对比
NSV40200LT1G
1807-NSV40200LT1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS PNP 40V 2A SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSV40200LT1G详情
ON Semiconductor NSV40200LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
质量
1.437803g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-135mV
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
460mW
基本部件号
NSS40200
引脚数量
3
元素配置
Single
无卤素
无卤素
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
220 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
170mV @ 200mA, 2A
最高频率
100MHz
转换频率
100MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
-40V
发射极基极电压 (VEBO)
-7V
高度
1.11mm
长度
3.04mm
宽度
2.64mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSV40200LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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