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1

￥3.853938
10

￥3.635791
100

￥3.429987
500

￥3.235844
1000

￥3.052677

ON Semiconductor NSV60201LT1G

Name: NSV60201LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSV60201LT1G
Price: 3.85 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSV60201LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSV60201LT1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

起订量

--最小包装量--

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NSV60201LT1G ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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NSV60201LT1G详情

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型号对比

ON Semiconductor NSV60201LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装

YES
引脚数

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V
Current-Collector (Ic) (Max)

2A
Number of Elements

1
hFEMin

100
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2016
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

460mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
频率

100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
引脚数量

3
配置

SINGLE
功率耗散

540mW
晶体管应用

SWITCHING
无卤素

无卤素
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

60V
最大集电极电流

2A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 1A 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

140mV @ 200mA, 2A
转换频率

100MHz
集电极基极电压(VCBO)

140V
发射极基极电压 (VEBO)

8V
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSV60201LT1G拓展信息

热销零件