ON Semiconductor NSVBAS21SLT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

0.225W

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

100μA @ 200V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25V @ 200mA

正向电流

225mA

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

输出电流-最大值

0.225A

平均整流电流（Io）

225mA DC

最大反向电压（DC）

250V

平均整流电流

225mA

反向恢复时间

50 ns

峰值反向电流

100nA

最大重复反向电压(Vrrm)

250V

电容@Vr, F

5pF @ 0V 1MHz

峰值非恢复性浪涌电流

625mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅