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1

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10

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100

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500

￥0.595371
1000

￥0.56167

ON Semiconductor NSVBC817-16LT1G

Name: NSVBC817-16LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVBC817-16LT1G
Price: 0.71 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVBC817-16LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVBC817-16LT1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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NSVBC817-16LT1G ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R

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ON Semiconductor NSVBC817-16LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

5 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
质量

1.437803g
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V
Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV
Current-Collector (Ic) (Max)

500mA
Number of Elements

1
hFEMin

100
操作温度

-65°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

300mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
参考标准

AEC-Q101
元素配置

Single
功率 - 最大

225mW
增益带宽积

100MHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

45V
最大集电极电流

500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA
转换频率

100MHz
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSVBC817-16LT1G拓展信息

热销零件