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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.004938
10
¥1.891452
100
¥1.784384
500
¥1.683385
1000
¥1.588098
ON Semiconductor NSVBC846BM3T5G
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- 对比
NSVBC846BM3T5G
1807-NSVBC846BM3T5G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-723
大陆
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Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-723 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSVBC846BM3T5G详情
ON Semiconductor NSVBC846BM3T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600mV
hFEMin
200
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
265mW
元素配置
Single
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
100mA
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSVBC846BM3T5G拓展信息
ON Semiconductor
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