ON Semiconductor NSVBC856BM3T5G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 hours ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

265mW

引脚数量

3

功率 - 最大

265mW

无卤素

无卤素

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅