ON Semiconductor NSVBCP53-16T3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.5W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.5W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

50MHz

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅