ON Semiconductor NSVMBD54DWT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

125°C

Power Dissipation (Max)

0.15W

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G6

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

2μA @ 25V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1V @ 100mA

工作温度 - 结点

125°C Max

输出电流-最大值

0.2A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

30V

最大反向电压（DC）

30V

平均整流电流

200mA

相位的数量

1

反向恢复时间

5 ns

最大非代表Pk前进电流

0.6A

二极管配置

2 Independent

反向电流-最大值

2μA

反向测试电压

25V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅