ON Semiconductor NSVMMBT2907AWT1G

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

100

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

150mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

200MHz

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

150mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

200MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

转换频率

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

接通时间-最大值(ton)

45ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅