ON Semiconductor NSVMMBT5401WT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-70, SOT-323

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2012

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

400mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE

功率 - 最大

400mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA

转换频率

100MHz

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

160V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅