ON Semiconductor NSVMMBT6517LT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

225mW

功率 - 最大

225mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 5mA, 50mA

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

350V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅