ON Semiconductor NSVMMUN2113LT3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

最大功率耗散

246mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

246mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

JEDEC-95代码

TO-236AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA

电阻基(R1)

47 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47 k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅