ON Semiconductor NTA4151PT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-75, SOT-416

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

760mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

301mW Tj

Turn Off Delay Time

29 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

260mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-760mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

301mW

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 350mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

450mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

156pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.1nC @ 4.5V

上升时间

8.2ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±6V

下降时间（典型值）

8.2 ns

连续放电电流(ID)

760mA

阈值电压

-450mV

栅极至源极电压(Vgs)

6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.76A

漏源击穿电压

-20V

高度

800μm

长度

1.65mm

宽度

900μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅