ON Semiconductor NTD4979N-35G

工厂交货时间

2 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A Ta 41A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

1.38W Ta 26.3W Tc

Turn Off Delay Time

13.3 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

Reach合规守则

not_compliant

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.56W

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

837pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16.5nC @ 10V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6.4 ns

连续放电电流(ID)

41A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅