ON Semiconductor NTMFS4834NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

16 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

表面安装

YES

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta 130A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

900mW Ta 86.2W Tc

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PDSO-F6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.31W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4500pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 4.5V

上升时间

34ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

21A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.003Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

260A

栅源电压

1.5 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅