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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.290329
10
¥3.104081
100
¥2.928381
500
¥2.762626
1000
¥2.606249
ON Semiconductor NTMFS4925NT3G
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- 对比
NTMFS4925NT3G
1807-NTMFS4925NT3G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN, 5 Leads
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MOSFET TRENCH 3.1 30V 6 Ohm NCH
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTMFS4925NT3G详情
ON Semiconductor NTMFS4925NT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
表面安装
YES
包装/外壳
8-PowerTDFN, 5 Leads
安装类型
表面贴装
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.7A Ta 48A Tc
Turn Off Delay Time
16.4 ns
Power Dissipation (Max)
920mW Ta 23.2W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
已出版
2012
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
23.2W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.6m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1264pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21.5nC @ 10V
上升时间
32.7ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.2 ns
连续放电电流(ID)
48A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9.7A
漏极-源极导通最大电阻
0.01Ohm
漏源击穿电压
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
NTMFS4925NT3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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