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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.797302
10
¥7.35595
100
¥6.939574
500
¥6.546768
1000
¥6.17619
ON Semiconductor NTMFS4982NFT3G
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NTMFS4982NFT3G
1807-NTMFS4982NFT3G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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MOSFET FETKY SO8FL 30V 129A 1.3M
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTMFS4982NFT3G详情
ON Semiconductor NTMFS4982NFT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
26.5A Ta 207A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.3m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6000pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
84nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
207A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
36A
漏极-源极导通最大电阻
0.0019Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NTMFS4982NFT3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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