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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | 元素配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | DS 击穿电压-最小值 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFS4C08NT3G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | YES | 5 | SILICON | 9A Ta 52A Tc | 4.5V 10V | 1 | 760mW Ta 25.5W Tc | 2.1V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | e3 | yes | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | Tin (Sn) | DUAL | FLAT | Single | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 5.8m Ω @ 18A, 10V | 1113pF @ 15V | 18.2nC @ 10V | 30V | ±20V | 52A | 20V | 9A | 30V | not_compliant | ROHS3 Compliant | 无铅 |
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