ON Semiconductor NTMFS4C10NT1G

工厂交货时间

16 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

表面安装

YES

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

14 ns

Power Dissipation (Max)

750mW Ta 23.6W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.2A Ta

已出版

2013

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.95m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

987pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.7nC @ 4.5V

上升时间

34ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

46A

阈值电压

2.2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.2A

DS 击穿电压-最小值

30V

宽度

5.1mm

长度

6.1mm

高度

1.05mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅