ON Semiconductor NTMSD2P102LR2G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

710mW Ta

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FETKY™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-2.3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 2.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 4.5V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

29 ns

连续放电电流(ID)

2.3A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

反馈上限-最大值 (Crss)

175 pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅