ON Semiconductor NTP6411ANG

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

77A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

217W Tc

Turn Off Delay Time

107 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

14MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

217W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 72A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

上升时间

144ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

157 ns

连续放电电流(ID)

72A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

77A

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

285A

雪崩能量等级（Eas）

470 mJ

栅源电压

4 V

高度

15.75mm

长度

10.28mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅