ON Semiconductor NTQS6463R2

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

930mW Ta

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn90Pb10)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-6.8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.39W

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 6.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 5V

上升时间

22ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

6.8A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.5A

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

漏源击穿电压

-20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅