ON Semiconductor NTTFS4930NTWG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A Ta 23A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

790mW Ta 20.2W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.06W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

476pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 4.5V

上升时间

26.6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.6 ns

连续放电电流(ID)

9.6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.03Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅