ON Semiconductor NTTFS5116PLTAG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.2W Ta 40W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

52MOhm

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

40W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

52m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1258pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

58ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

37 ns

连续放电电流(ID)

5.7A

阈值电压

-3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20A

漏源击穿电压

-60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76A

雪崩能量等级（Eas）

45 mJ

高度

750μm

长度

3.15mm

宽度

3.15mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅