ON Semiconductor NVD3055L170T4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta 28.5W Tj

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

170m Ω @ 4.5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

275pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 5V

上升时间

69ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

9A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

27A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅