ON Semiconductor NVD5863NLT4G

生命周期状态

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工厂交货时间

27 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.9A Ta 82A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 96W Tc

Turn Off Delay Time

37.6 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12.8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.1m Ω @ 41A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3850pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

70nC @ 10V

上升时间

24.4ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

55 ns

连续放电电流(ID)

82A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

320 mJ

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅