ON Semiconductor NVGS5120PT1G
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NVGS5120PT1G
1807-NVGS5120PT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
大陆
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MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
--最小包装量--
NVGS5120PT1G详情
ON Semiconductor NVGS5120PT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
600mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
配置
Single
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
111m Ω @ 2.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
942pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18.1nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
1.8A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.5A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NVGS5120PT1G拓展信息
ON Semiconductor
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