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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 NVTFS5811NLTAG
NVTFS5811NLTAG
NVTFS5811NLTAG

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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ON Semiconductor NVTFS5811NLTAG

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型号

NVTFS5811NLTAG

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NVTFS5811NLTAG

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power MOSFET 40V, 40A, 6.7 mOhm, Single N-Channel, u8FL, Logic Level.

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NVTFS5811NLTAG
NVTFS5811NLTAG ON Semiconductor Power MOSFET 40V, 40A, 6.7 mOhm, Single N-Channel, u8FL, Logic Level.

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NVTFS5811NLTAG详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor NVTFS5811NLTAG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    23 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    8

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    20 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    3.2W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    S-PDSO-F5

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    21W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    11 ns

  • 无卤素

    无卤素

  • 上升时间

    55ns

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 下降时间（典型值）

    40 ns

  • 连续放电电流(ID)

    40A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    40V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    354A

  • 输入电容

    1.57nF

  • 雪崩能量等级（Eas）

    65 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    6.7mOhm

  • 最大rds

    6.7 mΩ

  • 高度

    750μm

  • 长度

    3.15mm

  • 宽度

    3.15mm

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NVTFS5811NLTAG相似的参数规格。

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NVTFS5811NLTAG拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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