ON Semiconductor NXH160T120L2Q2F2S1G

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

56-PIM/Q2PACK (93x47)

Peak Forward Voltage

3.3 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2.7@160A V

Supplier Package

Case 180AK

Maximum Forward Current

132 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum DC Collector Current

181 A

Minimum Isolation Voltage

3000 Vrms

Maximum Collector Cut-off Current

500 uA

Mounting

螺钉安装

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi

RoHS

Details

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

181 A

厂商

onsemi

Product Status

活跃

操作温度

-40 to 150 °C

包装

Tray

系列

-

子类别

IGBTs

引脚数量

56

配置

三级逆变器

功率 - 最大

500 W

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

最大集极截止电流

500 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

信道型

N

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 160A

IGBT类型

-

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

38.8 nF @ 25 V

产品类别

IGBT模块