ON Semiconductor NXH350N100H4Q2F2S1G-R

包装/外壳

Q2PACK-42

安装类型

底座安装

供应商器件包装

42-PIM/Q2PACK (93x47)

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.75 V

Continuous Collector Current at 25 C

303 A

Pd - Power Dissipation

731 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

12

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

303 A

Base Product Number

NXH350

厂商

onsemi

Product Status

活跃

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

配置

三级逆变器

功率 - 最大

592 W

输入

Standard

最大集极截止电流

1 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1000 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 375A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

24146 pF @ 20 V

产品

IGBT硅模块