ON Semiconductor NXH80B120H2Q0SNG

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

41 A

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

配置

双升压斩波器

功率 - 最大

103 W

输入

Standard

最大集极截止电流

200 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 40A

IGBT类型

-

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

9.7 nF @ 25 V