ON Semiconductor NZT605

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

22 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

质量

188mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

110V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

11V

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

1.5A

基本部件号

NZT605

JESD-30代码

R-PDSO-G4

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

110V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 1A 5V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1mA, 1A

转换频率

150MHz

最大击穿电压

110V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

140V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.8mm

长度

6.5mm

宽度

3.56mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅