ON Semiconductor P2N2222AG

生命周期状态

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包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

引脚数

3

质量

4.535924g

制造商包装标识符

CASE 29 -11

hFEMin

35

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

300MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

已出版

1996

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

40V

额定电流

600mA

频率

300MHz

基本部件号

P2N2222

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

宽度

4.19mm

长度

5.2mm

高度

5.33mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅