ON Semiconductor PCP1103-P-TD-H

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 weeks ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5A

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1.3W

频率

450MHz

引脚数量

3

配置

Single

功率耗散

1.3W

功率 - 最大

3.5W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

375mV @ 15mA, 750mA

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅