ON Semiconductor PN100A

工厂交货时间

15 Weeks

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

300

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

已出版

2008

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

500mA

频率

250MHz

基本部件号

PN100

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 20mA, 200mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

VCEsat-最大值

0.2 V

集电极-基极电容-最大值

4.5pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅