ON Semiconductor PN200RM

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

201mg

hFEMin

100

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

包装

Tape & Box (TB)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

625mW

额定电流

-500mA

频率

250MHz

基本部件号

PN200

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 1V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 20mA, 200mA

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅