ON Semiconductor PN2222BU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

179mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

625mW

额定电流

600mA

频率

300MHz

基本部件号

PN2222

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅