ON Semiconductor PN2369

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

15V

最大功率耗散

350mW

额定电流

200mA

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

350mW

功率 - 最大

350mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

400nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

4.5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅