ON Semiconductor PN5134

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

10V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

10V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

额定电流

30mA

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

10V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

400nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

3.5V

集电极-基极电容-最大值

4pF

RoHS状态

符合RoHS标准